全球存储芯片市场近期迎来新一轮价格波动，DRAM与NAND两大主流产品呈现差异化走势。根据行业监测数据显示，2月份通用型DRAM产品均价突破13美元关口，创下2016年6月以来最高纪录，而NAND闪存价格单月涨幅超过33%，延续自去年初以来的持续上涨态势。
市场研究机构TrendForce披露，PC领域常用的DDR4 8Gb DRAM颗粒平均交易价较上月攀升13.04%，自去年4月启动涨价周期以来已连续11个月保持涨势。值得注意的是，今年第一季度该品类价格较去年第四季度暴涨110%-115%，远超此前季度38%-43%的涨幅纪录。分析人士指出，经过多轮价格谈判，当前现货价已达到供需双方均可接受的平衡点，预计3月价格将维持现有水平，后续涨幅将逐步收窄。
与DRAM市场形成对比的是，NAND闪存价格呈现加速上涨态势。用于存储卡和U盘的128Gb MLC颗粒本月均价达12.67美元，单月涨幅高达33.91%，创下连续14个月上涨的新纪录。行业数据显示，随着主要厂商将产能向3D NAND技术转移，传统SLC和MLC工艺产品的供应缺口持续扩大，成为推动价格走高的主要因素。
驱动本轮存储芯片涨价的核心动力来自人工智能产业爆发带来的需求激增。全球主要芯片制造商纷纷调整产能结构，将资源向高附加值产品倾斜，导致通用型存储产品供应持续紧张。市场观察家认为，这种结构性供需失衡短期内难以缓解，但不同产品类别将因技术迭代周期差异呈现分化走势，其中NAND市场因技术升级空间较大，价格上行压力或将延续至下半年。
