南亚科技加速AI DRAM布局，定制内存2026年或迎验证期

近期，台湾内存制造商南亚科技在AI DRAM领域加速其战略部署，旨在从高度竞争的HBM市场中脱颖而出，特别是在全球三大内存制造商激烈角逐的背景下。这一动向得到了台湾《工商时报》与《经济日报》的综合报道。

南亚科技的领航者，总经理李培瑛，强调了AI应用内存技术的四大核心要素：先进且高密度的DRAM技术、3D TSV硅通孔技术与多芯片封装工艺、HBM设计实力，以及逻辑Base Die（基础裸晶）的应用。他透露，南亚科技已在先进DRAM技术领域完成布局，并与补丁科技与福懋科技携手，共同推进TSV技术和封装技术的发展。

对于HBM设计与逻辑制程Base Die的获取，南亚科技采取了战略性的投资与合作策略。据李培瑛介绍，南亚科技的定制化DRAM项目预计在2026年就能获得验证，并在2026年底至2027年期间为公司业绩做出贡献。

面对当前市场环境的变化，南亚科技正积极应对。由于三大内存制造商相继减产或停产DDR3、DDR4产品，南亚科技抓住了这一转单机遇。同时，随着市场提前备货的趋势显现，南亚科技有望在第三季度完成库存清理，并在第四季度努力实现扭亏为盈的目标。