三星3nm工艺遇挫：第1、2代良率仅60%和20%，未达到客户70%要求

近日，据韩媒《时事周刊e》披露，三星电子在3nm工艺制程技术上面临挑战。其第一代和第二代3nm工艺，即SF3E-3GAE和SF3-3GAP，目前的良率分别约为60%和20%。

这一良率未能满足如高通、英伟达等潜在大客户所期望的70%标准，导致三星在争夺最尖端制程订单时，难以与竞争对手台积电抗衡。此情况对三星在尖端逻辑工艺领域的投资回报产生了直接影响。

三星DS部门内部的存储器、系统LSI及Foundry三大业务板块相互关联，形成一个复杂的生态系统。若系统LSI设计的Exynos处理器能由Foundry部门顺利制造，将是对其技术实力的有力证明，进而吸引外部客户采用三星的逻辑代工服务以及先进的封装解决方案。然而，目前三星未能实现这一自我增强的循环，致使其半导体业务整体陷入困境。

面对当前的困境，韩媒预测三星DS部门将在即将到来的集团年度管理层调整中经历一次高层大换血，三大业务部门的负责人都有可能被替换。这一调整预计将在本月内进行，比常规的12月初要早。

今年5月，三星已经进行了一次意外的年中DS部总负责人更替，由全永贤接替了庆桂显的职位。这次高层的变动可能预示着三星正在积极寻求改变，以应对当前半导体市场的挑战。