三星电子在内存技术领域取得了新的突破。据韩媒ZDNET Korea报道，该公司已成功研发出1c nm（第六代10nm级）DRAM内存的良品晶粒，这一成果在公司内部获得了高度评价。
然而，1c nm DRAM的量产仍面临挑战，首批产品的良率尚不足一成。为推进量产进程，三星电子计划在今年底前完成首条1c nm DRAM内存量产线的建设。
▲ 三星电子HBM内存示意图
据悉，三星下一代HBM内存HBM4预计将基于1c nm DRAM制程，以期在市场竞争中追赶并超越SK海力士与美光。
按照行业惯例，新DRAM制程通常先应用于DDR内存，再逐步扩展至LPDDR，最后在HBM上应用。但考虑到1c nm DRAM的量产时间和HBM4的预计量产时间，三星可能会打破这一常规顺序。
▲ 生产线示意图
▲ DRAM内存芯片
▲ HBM内存模块
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