存储芯片行业正迎来一场激烈的市值角逐。近期，三星电子（005930.KS）率先突破万亿美元市值大关后，美光科技（MU.O）与SK海力士（000660.KS）也相继加入这一行列。5月26日美股收盘时，美光科技股价暴涨19.29%，创下历史新高，市值首次站上万亿美元；次日SK海力士盘中股价涨幅达11%，同样迈入万亿美元俱乐部。至此，全球三大DRAM存储原厂全部进入“万亿市值时代”。
资本市场对这三家企业的追捧，与人工智能（AI）技术爆发带来的存储需求激增密切相关。作为AI训练的核心硬件，高带宽内存（HBM）成为行业焦点，而全球HBM市场几乎被这三家企业垄断。其中，SK海力士目前占据最大市场份额，但美光科技正以惊人速度追赶。据TrendForce集邦咨询数据，2024年SK海力士在HBM市场的生产位元占比为59%，美光与三星则分别以20%并列第二；但到2025年，SK海力士的份额预计降至50%，美光将提升至28%，三星维持在20%左右。HBM整体市场规模预计在2025年突破300亿Gb。
美光科技的追赶策略颇具针对性。该公司直接跳过HBM3技术迭代，集中资源攻关HBM3e，并成功打入英伟达供应链。数据显示，2024年美光HBM产能占其内存总产能的26%，高于三星的23%和SK海力士的18%。2025年3月的英伟达GTC大会上，美光宣布为新一代AI芯片Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high产品开始批量出货；三星则同步宣布其第六代HBM4进入量产阶段。三家企业同时成为英伟达HBM4供应商，标志着行业竞争进入新阶段。
尽管在HBM领域表现亮眼，美光在整体存储市场的地位仍与竞争对手存在差距。闪存市场数据显示，2024年第四季度DRAM市场中，三星以37.1%的份额领跑，SK海力士占33.1%，美光仅占20.8%；NAND闪存市场差距更为明显，三星与SK海力士分列前两位，美光以11.6%的份额位居第五。不过，美光的财务表现正在改善——在截至2025年2月26日的季度中，公司营收同比增长196%至238.6亿美元，净利润达137.9亿美元，创历史新高。
面对行业供需紧张的局面，三大存储原厂均在加速产能扩张。业界分析认为，按照当前建设进度，全球存储芯片供应紧张态势将持续至2027年。美光科技在最新财报中透露，公司计划2026年将DRAM和NAND闪存的供应量增长幅度维持在行业平均水平（约20%），同时重点推进HBM4生产爬坡。公司高管表示，HBM4的良率提升速度将快于前代产品，这将成为其抢占市场份额的关键。
