内存厂商积极探索新技术：无助焊剂键合有望助力HBM4降低层间间隙

在内存技术领域，一项革新性技术正悄然酝酿。据韩国媒体ETNews近期披露，业界领先的内存制造商如三星电子、SK海力士以及美光，正着眼于采纳无助焊剂键合技术，以将其应用于下一代高性能内存HBM4的生产中。

HBM4 16Hi内存以其更多的DRAM Die层次而著称，这种设计对层间间隙的压缩提出了更高要求，以确保整体堆栈高度维持在775微米的限制之内。然而，当前HBM键合工艺中助焊剂的使用成为了一个技术难题，因其残留会扩大Die间的间隙，进而增加整体堆栈高度。

无助焊剂键合技术的引入，正是为了解决这一难题。据悉，各大厂商对此技术的准备情况各异：美光在与合作方的测试方面表现得最为积极，SK海力士则在考虑技术导入的可能性，而三星电子同样对此保持高度关注。

报道还提及，随着HBM内存技术的不断进步，JEDEC所制定的规范有可能会对HBM4的高度限制进行放宽。这一潜在的规范调整，可能为内存厂商提供更多的灵活性，减轻其转向混合键合技术的压力。