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1纳米“记忆开关”诞生!中国团队突破让低功耗芯片照进现实

2026-02-16来源:快讯编辑:瑞雪

未来,智能手机实现数周超长待机、物联网传感器电池续航数年、可穿戴设备告别频繁充电,这些曾被视为科幻场景的愿景,正随着一项颠覆性技术突破加速成为现实。北京大学电子学院科研团队近日宣布,成功研制出全球首款“纳米栅超低功耗铁电晶体管”,这项被国际学术界评价为“四两拨千斤”的创新成果,为解决芯片能耗难题开辟了全新路径。

传统芯片架构中,存储与计算模块的物理分离导致数据频繁搬运,如同厨师烹饪时需反复往返仓库取调料,既浪费时间又消耗能量。研究团队负责人邱晨光研究员指出,铁电晶体管虽具备“存算一体”特性——既能存储数据又可进行计算,且断电后信息不丢失,但其高操作电压导致的巨大功耗始终制约着实际应用。此次突破的关键在于,团队将晶体管核心部件栅极尺寸压缩至1纳米级别。

这个尺寸相当于将头发丝直径(约8万至10万纳米)缩小十万倍。在原子级精度的操控下,科研人员构建出极细的“电场探针”,使通电时电场能量如水流汇聚针尖般高度集中。实验数据显示,仅需施加0.6伏微小电压即可精准操控晶体管开关,较主流芯片0.7伏工作电压降低14%,开关能耗较国际最优水平下降一个数量级,电压效率突破铁电材料理论极限达125%。

“这相当于用绣花针撬动巨石。”邱晨光形象比喻道。通过重构晶体管物理结构,团队成功破解了传统铁电器件“高能耗”与“高性能”不可兼得的矛盾。该成果已发表于国际权威期刊《科学·进展》,审稿人评价其“重新定义了低功耗电子器件的可能性边界”。

这项技术对产业界的潜在影响正在显现。团队首席科学家彭练矛教授透露,采用该晶体管的芯片可使移动终端、自动驾驶系统、云端服务器等设备在极低功耗下完成海量计算任务。特别对于能耗巨大的AI大模型训练而言,这种“尺寸越小越省电”的特性,为突破算力提升的能耗瓶颈提供了关键解决方案。目前,研究团队正与多家半导体企业推进技术转化,预计3-5年内实现商用落地。

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