近日，备受瞩目的2025 IEEE ISSCC国际固态电路会议日程在ISSCC官网上正式揭晓，这一科技界的盛会将于明年2月16日至20日在美国加利福尼亚州的旧金山盛大召开。
在会议的高光时刻——17日的全体会议上，四位业界领袖将登台发表精彩演讲。其中，英特尔的首席执行官帕特·基辛格将深入探讨人工智能领域的多层次技术创新，而三星电子的存储器业务负责人李祯培则将聚焦AI存储器的最新发展趋势。
会议日程中，SRAM、非易失性存储与DRAM的专题研讨会备受关注，它们均安排在2月19日进行。台积电将在此次研讨会上展示其采用2nm Nanosheet制程的SRAM，存储密度高达38.1 Mb/mm²，这一成果令人瞩目。同时，英特尔也将展示其采用BSPDN背面供电设计的Intel 18A RibbonFET工艺高密度SRAM，展现了其在半导体领域的领先地位。
在非易失性存储与DRAM领域，各大厂商同样带来了令人期待的成果。三星电子将展示其采用晶圆键合技术的4XX层堆叠1Tb容量3D TLC NAND，存储密度高达28Gb/mm²，I/O引脚速率更是达到了5.6Gb/s，预计这将是其第10代V-NAND的代表作。而铠侠-西部数据联盟则推出了I/O引脚速率为4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND，其读取操作能效提升了29%。
在GDDR7方面，三星电子也展示了其最新成果——42.5Gbps的24Gb产品，这与此前宣布成功开发的型号相契合。三星电子还将展出其第5代10nm级（1bnm、12nm级）工艺的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，I/O引脚速率高达12.7Gb/s，进一步提升了存储性能。
SK海力士同样不甘示弱，带来了321层（V9）2Tb QLC NAND，其编程吞吐量高达75MB/s，这一堆叠数量和单元结构的闪存产品此前已在FMS 2024展会上亮相。SK海力士还与铠侠合作开发了新型64Gb DDR4 STT-MRAM，该存储器件结合了交叉点存储和磁隧道节结构，为存储领域带来了新的突破。
