近期，SK 海力士在台积电举办的2025年北美技术论坛上大放异彩，展示了多款创新的DRAM内存产品，吸引了业界的广泛关注。这些新品不仅涵盖了前沿的HBM内存，还包括了标准的DIMM模组，展示了SK 海力士在内存技术领域的深厚底蕴。
在HBM内存方面，SK 海力士作为HBM领域的领航者，首次实现了16层键合技术。此次论坛上，他们推出了采用Advanced MR-MUF键合技术的16Hi HBM内存模型，这一技术突破进一步巩固了SK 海力士在HBM市场的领先地位。
具体产品层面，SK 海力士展示了HBM3E和HBM4两款实物产品。其中，HBM4内存采用了16Hi堆叠技术，单堆栈容量高达48GB，I/O速度达到了8.0Gbps，整体带宽更是惊人地达到了2.0TB/s。HBM4的逻辑裸片部分采用了台积电先进的制程工艺，进一步提升了产品的性能和稳定性。
在常规的DIMM模组方面，SK 海力士同样带来了丰富的产品组合。对于一般RDIMM，此次展出的产品速率均达到了8000MT/s，涵盖了多款不同制程和容量的型号。其中，基于先进1c nm制程的RDIMM最高容量可达64GB；采用3DS键合堆叠技术的RDIMM容量更是达到了256GB；而采用较旧制程的RDIMM则提供了96GB的容量选择。
针对先进服务器市场，SK 海力士还推出了三款速度可达12800MT/s的MRDIMM产品。这些产品包括标准板型、基于1c nm DRAM的64GB容量款式；同样采用传统板型但基于更旧制程的96GB容量型号；以及采用更高板型、容量可拓展至256GB的产品。这些产品不仅满足了不同服务器场景的需求，还进一步提升了服务器的性能和稳定性。
