三星电子获美346亿补贴，原计划4nm投资被砍，2nm成焦点

近期，三星电子宣布成功获得美国商务部《CHIPS》法案激励计划的支持，将收获高达346.37亿元人民币的直接资金补贴。这一消息是在美国商务部于12月20日公布的相关公告中透露的。

根据最新的协议细节，三星电子在美国半导体领域的投资规模有所调整，从原先宣布的超过400亿美元减少至超过370亿美元。同时，项目的具体内容也发生了一些变动。

原本计划在得克萨斯州泰勒市建设的一座专注于生产3D HBM和2.5D封装的先进封装设施，在最终协议中被取消。泰勒市原本计划建设的两座先进制程工厂，原本将分别量产4nm和2nm制程技术，但最新的协议仅提及了2nm制程技术的建设。

由于这些变动，相关项目所能提供的高薪制造业工作岗位和建筑工作机会也相应减少。原本预计能创造超过4500个制造业岗位和超过17000个建筑工作机会，而现在，这些数字分别降低到了3500多个和约12000个。

尽管如此，三星电子对于2nm制程技术的发展仍然充满信心。新任foundry负责人韩真晚曾表示，该部门当前的首要任务是确保2nm产能的快速爬坡，并提升工艺质量。他强调，这将有助于泰勒厂的2nm制程技术在美国本土赢得Fabless设计企业的青睐。