存储芯片巨头美光科技近日公布了最新季度财报，数据显示其业绩实现爆发式增长。在截至2月末的2026财年第二财季，公司营收达到238.6亿美元，较去年同期的80.5亿美元增长近两倍，远超分析师预期的200.7亿美元。调整后每股收益为12.20美元，同样大幅高于市场预期的9.31美元。
财报显示，公司毛利率从去年同期的36.8%跃升至74.4%，较上一季度的56%也有显著提升。这一强劲表现主要得益于人工智能热潮推动的存储芯片需求激增。美光首席执行官桑杰·梅赫罗塔指出，公司业绩提升源于人工智能驱动的内存需求增长、结构性供应限制以及公司出色的执行能力。
对于下一财季，美光给出了更为乐观的指引：预计营收约335亿美元，同比增长超过200%，远超分析师预期的243亿美元；调整后每股盈利预计约19.15美元，也大幅高于市场预期的12.05美元。尽管业绩表现亮眼，但公司股价在盘后交易中仍下跌超4%，过去一年已累计上涨超过350%。
市场分析认为，美光股价盘后下跌主要源于投资者对过高预期的担忧。加贝利基金投资组合经理亨迪·苏桑托表示，虽然财报发布前股价已充分反映市场乐观情绪，但公司对第三财季的强劲指引仍超出预期。他指出，当前存储芯片市场面临结构性供应短缺，特别是DRAM和NAND产品，部分原因是许多厂商将产能转向利润更高的HBM芯片。
存储芯片行业传统上利润较低，产品价格相对便宜且合同期限较短。但随着人工智能发展，行业格局正在改变。过去几个月，多家存储芯片公司签订了更长期合同，以确保未来产能。美光在财报中强调，随着人工智能推进，计算架构将更加依赖内存，公司将成为这一趋势的主要受益者和推动者。
为应对需求增长，美光正在大幅扩张产能。梅赫罗塔透露，英伟达Vera Rubin显卡的HBM4量产已在本财年第一季度启动，下一代HBM4e产品将于2027年量产。为此，公司计划在2027财年显著增加资本支出，与建筑相关的成本将增加超过100亿美元。
目前，美光正在美国爱达荷州和纽约建设两个大型制造园区。爱达荷州工厂预计2027年中期开始生产，纽约园区规模达1000亿美元，已于今年1月破土动工，预计2028年下半年实现晶圆生产。这些投资将显著提升公司在美国的内存制造能力。
