近期，据国外媒体报道，三星电子与SK海力士两大半导体巨头采取了行动，以应对NAND闪存市场供应过剩的问题。他们通过技术迁移的方式，实现了“自然减产”。
据悉，自去年年底开始，这两家公司便着手将NAND闪存的生产从旧工艺转向新工艺。这一过程涉及到引进和安装新设备，预计耗时三个月。在此期间，由于生产线正在进行技术升级，无法生产晶圆，从而导致NAND闪存的出货量自然下降。
三星电子方面，正在将其主要的128层NAND闪存产品逐步升级为更先进的176层、238层、286层产品。而SK海力士则在清州的NAND生产基地，全力推进238层和321层最新产品的量产和技术迁移。
业内人士透露，受此次技术迁移影响，三星电子和SK海力士今年第一季度的NAND闪存产量预计将比去年下半年减少超过10%。一位知情人士还表示，三星电子用于NAND闪存的原材料和零部件供应量也在逐步减少。
实际上，自去年下半年以来，NAND闪存价格已经出现了明显的下跌。据市场研究公司DRAMeXchange的数据显示，NAND通用产品的平均固定交易价格从去年8月的4.9美元降至今年1月的2.18美元，跌幅超过50%。
面对市场供需失衡的现状，NAND闪存制造商纷纷采取措施。除了三星电子和SK海力士外，美光也已经正式宣布减产。业内预计，今年上半年NAND闪存需求的疲软态势仍将持续，因此，“战略性减产”政策或将得以延续。
此次技术迁移导致的“自然减产”，虽然短期内可能会对NAND闪存的供应量产生影响，但从长远来看，有助于市场逐步恢复供需平衡，稳定价格，为半导体行业的健康发展奠定基础。
