近日，大日本印刷（DNP）公司宣布了一项重要技术突破，成功在其生产的光掩模上绘制出支持2纳米及以下极紫外（EUV）工艺的精细图案。这一成果标志着DNP在半导体制造领域的技术实力达到了新的高度。
据悉，DNP在本月早些时候正式对外公布了这一消息。在现代光刻工艺中，光掩模扮演着至关重要的角色，它是将设计好的电路图案转移到晶圆上的关键工具。此次DNP所绘制的精细图案，不仅在线条尺寸上实现了显著缩小，还在复杂度更高的曲线图案上实现了同比例的尺寸压缩，这为生产更高效、更先进的逻辑芯片提供了有力支持。
DNP的光掩模技术进展并非一蹴而就。早在2023年，该公司就已经成功开发出了适用于3纳米工艺的光掩模。而此次为了满足2纳米及以下工艺的需求，DNP在技术上进行了全面升级，不仅在直线图案尺寸上较3纳米世代产品缩小了20%，还在曲线图案的复杂度上实现了更高的技术要求。
通过对比图可以看出，DNP此次绘制的精细图案在直线和曲线方面都展现了极高的精度。直线的边缘更加平滑，曲线的轮廓也更加清晰，这为后续的曝光和芯片制造提供了更加可靠的保障。
DNP表示，此次成功绘制精细图案，意味着其光掩模产品已经满足了2纳米及以下名义制程逻辑半导体的生产需求。这一成果不仅为DNP在半导体制造领域树立了新的里程碑，也为全球半导体产业的发展注入了新的动力。
DNP还完成了支持High NA EUV光刻的光掩模的初步评估，并已向生态合作伙伴出样。这一举措将进一步推动High NA EUV光刻技术的发展，为半导体产业带来更加先进的制造技术和更高的生产效率。
DNP还透露了其未来的量产计划。该公司计划于2027财年（起始于同自然年4月）实现2纳米光掩模的量产。考虑到DNP与Rapidus的合作关系，这一新品预计将用于Rapidus计划于2025年4月启动的2纳米试产线。这一合作将进一步巩固DNP在半导体制造领域的领先地位，并为全球半导体产业的发展做出更大的贡献。
