【发现科技】5月19日消息，据最新消息透露，高通骁龙8 Gen 4处理器将在未来采用台积电的3nm工艺(N3E)，而骁龙8 Gen 4 for Galaxy处理器则将采用三星的3nm GAP工艺。这一消息由知名爆料人Revegnus(@Tech_Reve)在推特上分享。Revegnus此前多次准确爆料，具有一定的可信度。然而，由于距离三星预计在2024年年底发布Galaxy S25还有两年时间，相关信息的具体细节仍需等待进一步明确。
根据爆料，高通骁龙8 Gen 4处理器和三星代工的骁龙芯片虽然都采用了3nm工艺量产，但在性能和功耗方面可能存在差异。尽管采用相同工艺，但具体的差异将取决于三星如何掌握这些工艺并缩小差距。据发现科技了解，不同代工厂商在工艺控制和优化方面有所差异，因此高通和三星在处理器性能和能效方面可能会有各自的特点和优势。
高通骁龙8 Gen 4处理器作为下一代旗舰芯片，备受期待。其采用台积电的3nm工艺(N3E)将有望提供更高的性能和更低的功耗，为智能手机和其他移动设备带来更强大的计算能力和更长的电池续航时间。骁龙8 Gen 4 for Galaxy处理器则采用三星的3nm GAP工艺，可能在三星旗舰手机上发挥出色的表现。
然而，骁龙8 Gen 4处理器的具体细节和性能特点尚未公布，需要等待更多信息的披露。根据Revegnus的推文，相关信息预计在2024年年底之前才会进一步明确。届时，我们将能够更好地了解这款处理器的功能和性能，以及台积电和三星在3nm工艺上的表现。
