三星电子近期在DRAM市场的动向备受瞩目。据韩国Business Korea报道，该公司正加速推进10纳米级第七代DRAM测试线的建设，以期在技术层面与竞争对手拉开差距，并计划在不久的将来重振其在DRAM市场的领导地位。
尽管关于平泽10纳米级第七代DRAM工厂的具体规模尚未公开，但一般而言，此类测试线的处理能力约为每月10000片晶圆。预计该测试线将在2025年第一季度全面竣工并投入使用。
与此同时，三星还计划同步推进第六代DRAM的量产准备工作。据Business Korea透露，三星计划从2025年初开始，在平泽第四工厂（P4）引进相关设备，以生产10纳米级第六代DRAM，并期望在明年5月获得内部量产批准（PRA）。
为确保1c DRAM的顺利量产，三星还采取了一项人才调配策略，即从华城工厂派遣DRAM领域的专业人员到平泽工厂支援。
Business Korea分析认为，三星的这一系列举措是对其在HBM市场份额被SK海力士超越，以及10纳米级第六代DRAM开发进度落后等挑战的积极回应。通过提前布局下一代产品，三星显然希望能在明年重新夺回DRAM市场的领先地位。
